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Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro in die GaN-Fertigung in Villach
Vom USB-C-Netzteil bis zum Rechenzentrum hängt die Effizienz elektronischer Geräte auch davon ab, wie gut sie Strom umwandeln. Infineon will die GaN-Fertigung in Villach dafür deutlich ausbauen und bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro investieren. Der Chiphersteller hat das Vorhaben am 27. Oktober angekündigt; die neue Produktion soll Ende 2027 starten.
Im Mittelpunkt stehen Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid, kurz GaN. Sie steuern elektrische Energie und kommen unter anderem in Stromversorgungen zum Einsatz. Die Ankündigung von Infineon betrifft ihre Fertigung auf größeren Halbleiterscheiben, den sogenannten Wafern. Nach Unternehmensangaben entsteht damit die weltweit erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern.
GaN-Fertigung in Villach soll Ende 2027 starten
Infineon nutzt für das Projekt bestehende Reinraumflächen am österreichischen Standort und modernisiert die Infrastruktur. Der Investitionszeitraum bis 2034 reicht deutlich über den geplanten Produktionsbeginn hinaus. Die Fertigung soll anschließend entsprechend der Marktnachfrage hochgefahren werden. Ende 2027 bezeichnet somit den vorgesehenen Start, nicht bereits die volle Auslastung.
Die technische Grundlage ist älter: Am 11. September 2024 meldete Infineon die Entwicklung der 300-Millimeter-GaN-Technologie. Damals beschrieb das Unternehmen eine Pilotlinie innerhalb seiner vorhandenen Siliziumfertigung in Villach. Im Juli 2025 kündigte es erste Kundenmuster für das vierte Quartal desselben Jahres an. Der jetzt vorgestellte Ausbau führt diese Entwicklung in eine Fertigung mit großen Stückzahlen über.
Mehr Chips pro Scheibe
Bislang wird GaN-Leistungselektronik nach Angaben der EU-Kommission auf Wafern mit höchstens 200 Millimetern Durchmesser gefertigt. Der Wechsel auf 300 Millimeter schafft mehr nutzbare Fläche. Infineon beziffert den möglichen Ertrag auf die 2,3-fache Zahl an Chips pro Wafer.
Zur Einordnung hilft die Geometrie: Steigt der Durchmesser einer kreisförmigen Scheibe von 200 auf 300 Millimeter, wächst ihre Fläche auf das 2,25-Fache. Wie viele brauchbare Chips tatsächlich entstehen, hängt zusätzlich von ihrer Größe, der Anordnung und Produktionsfehlern ab. Die Herstellerzahl ist deshalb keine Zusage für eine entsprechend höhere Gesamtausbeute der Fabrik.
Auch die einzelnen Chips werden durch den größeren Wafer nicht automatisch schneller. Der Vorteil betrifft zunächst die Herstellung: Auf einer Scheibe lassen sich mehr Bauteile bearbeiten. Das kann die Kosten pro Chip senken, wenn die Fertigung zuverlässig und ausreichend ausgelastet läuft.
Warum GaN kompaktere Netzteile ermöglicht
Der Nutzen von Galliumnitrid liegt vor allem beim schnellen Schalten elektrischer Energie. In einem Schaltnetzteil entstehen Verluste sowohl beim Stromfluss als auch beim Ein- und Ausschalten der Transistoren. Kürzere Schaltübergänge können einen Teil dieser Verluste verringern. Texas Instruments erläutert diesen Zusammenhang in einer technischen Beschreibung.
Bei geeigneter Auslegung lassen sich dadurch höhere Schaltfrequenzen nutzen. Bauteile wie Transformatoren und Spulen können dann kleiner ausfallen. Das erklärt, warum GaN bei kompakten Ladegeräten bereits eine Rolle spielt. Entscheidend bleibt allerdings die gesamte Schaltung: Das Halbleitermaterial allein legt weder den Wirkungsgrad noch die Temperatur eines fertigen Netzteils fest.
Infineon nennt neben Unterhaltungselektronik auch KI-Rechenzentren, Energieinfrastruktur, Elektromobilität und Robotik als Einsatzfelder. Dort geht es um die Versorgung und Steuerung elektrischer Leistung. Eine höhere Rechenleistung von KI-Prozessoren lässt sich aus der Fertigungsankündigung nicht ableiten.
Österreich fördert, die EU genehmigt
Die Europäische Kommission hat 319 Millionen Euro österreichische Staatshilfe genehmigt. Es handelt sich um einen direkten Zuschuss Österreichs, nicht um eine Auszahlung aus dem EU-Haushalt. Die formelle Förderzusage des zuständigen österreichischen Ministeriums stand laut Infineons Mitteilung noch aus.
Nach Bewertung der Kommission gibt es bislang keine vergleichbare 300-Millimeter-GaN-Fertigung in der EU. Mit der Förderung sind weitere Zusagen verbunden: Infineon soll die Zusammenarbeit mit Start-ups, kleineren Unternehmen, Hochschulen und Forschungseinrichtungen ausweiten, etwa durch Zugang zu Entwicklungskits und Laboren. Hinzu kommen Bildungs- und Qualifizierungsangebote sowie eine Beteiligung Österreichs an möglichen projektbezogenen Gewinnen oberhalb der bisherigen Erwartungen.
Für Deutschland und Europa liegt die Bedeutung damit auch im Aufbau zusätzlicher Fertigungskapazitäten innerhalb der EU. Ob und wann daraus günstigere Endgeräte entstehen, lässt sich aus der Genehmigung nicht ablesen.
Konkrete Produkte und Einsparungen bleiben offen
Für vorhandene Geräte ändert sich durch die Ankündigung zunächst nichts. Sie ist auch kein Anlass, ein funktionierendes Ladegerät auszutauschen. Welche künftigen Produkte Chips aus der neuen Fertigung nutzen werden und wie hoch deren Preis- oder Effizienzvorteile ausfallen, nennt die Mitteilung nicht.
Auf dem Weg zum geplanten Start werden deshalb der tatsächliche Produktionsbeginn, die Fertigungsqualität und die Nachfrage der Kunden entscheidend. Erst konkrete Bauteile und fertige Geräte werden zeigen, welcher Vorteil im Alltag ankommt.
Stand der Recherche: 28. Oktober 2026, 10:57 Uhr MEZ.
Hauptquellen
- Infineon: Investition und Zeitplan für die GaN-Fertigung in Villach
- Europäische Kommission: Genehmigung der österreichischen Staatshilfe
- Infineon: Entwicklung der 300-Millimeter-GaN-Technologie im September 2024
- Infineon: Fertigungsfahrplan und angekündigte Kundenmuster vom Juli 2025
- Texas Instruments: Technische Erklärung zu Verlusten und Baugröße von GaN-Netzteilen
Transparenzhinweis: Projektangaben und Produktionsziele stammen von Infineon, die Fördergenehmigung von der EU-Kommission. Ein eigener Test oder eine Besichtigung der Fertigung fand nicht statt. Konkrete Vorteile künftiger Geräte sind damit nicht unabhängig bestätigt.
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